芯东西（公众号：aichip001）
作者 | ZeR0
编辑 | 漠影
芯东西11月10日报道，近日，以色列片上存储IP创企RAAAM宣布已完成超额认购的1750万美元（约合人民币1.2亿元）A轮融资，由恩(en)智浦半导体领投。
本轮融资完成后，RAAAM总融资额超过2400万美元（约合人民币1.7亿元）。
RAAAM成立于2021年5月，总部位于以色列，在瑞士设有研发中心，共有22名员工。该公司开发了新一代片上存储技术GCRAM，与高密度SRAM相比，其面积最多可缩减50%，功耗最多可降低90%。
据官网介绍，RAAAM由4位来自巴伊兰大学和洛桑联邦理工学院、专攻(gong)超(chao)大规(gui)模(mo)集成电路(lu)（VLSI）设计的博士创立。
“与(yu)SRAM相(xiang)比，我们的(de)解(jie)决方案(an)有望(wang)通过显著提高内存(cun)密度(du)和降低功耗(hao)，解(jie)决顶尖AI芯片的(de)内存(cun)瓶颈(jing)问题。”RAAAM联合(he)创始人兼(jian)CEO Robert Giterman谈道(dao)。
为了减少芯片(pian)外数据(ju)传(chuan)输，几乎所有(you)SoC都集成了大量的片(pian)上(shang)嵌入式内存(cun)缓存(cun)。这些缓存(cun)通常采用(yong)静态随机存(cun)取存(cun)储器（SRAM）实现，并往(wang)往(wang)占(zhan)据(ju)超过50%的芯片(pian)面(mian)积。由于SRAM的尺(chi)寸缩(suo)小已达极限(xian)，在(zai)5nm以下的先进(jin)CMOS工艺节点中不再进(jin)一步缩(suo)小，内存(cun)瓶(ping)颈(jing)问题更加严重。
在芯片尺寸不变的(de)情况下，RAAAM的(de)GCRAM技术能够增加片上存储容量，通(tong)过减(jian)少或完全(quan)消除(chu)片外数据传(chuan)输，显(xian)著提(ti)升(sheng)系统带宽和能效。减(jian)小(xiao)存储器占用(yong)空间(jian)还可以(yi)通(tong)过缩(suo)小(xiao)芯片尺寸大(da)幅降低(di)制造成本。
GCRAM的(de)(de)bitcell包(bao)含3颗晶(jing)体管，而DRAM只有1颗晶(jing)体管和1个电容。SRAM的(de)(de)bitcell通(tong)常包(bao)含6颗晶(jing)体管，是GCRAM的(de)(de)2倍(bei)。因此在其(qi)他条件(jian)相同的(de)(de)情况(kuang)下，SRAM的(de)(de)面积(ji)和功耗大约(yue)是GCRAM的(de)(de)2倍(bei)。对于2Mbit等大型存储(chu)阵列而言(yan)，GCRAM的(de)(de)密度优势(shi)有助于大幅降(jiang)低成本(ben)。
除了面积优势外，GCRAM bitcell采用解耦的读写端口，无需额外成本即可实现原生双端口操作，显著提升存储器(qi)带宽。
GCRAM在(zai)16nm FinFET工(gong)艺下可实现低(di)至(zhi)450mV的读写电压(ya)，标准片(pian)上SRAM的Vmin则为700mV。与其(qi)他SRAM解(jie)决方案相比(bi)，GCRAM能大(da)幅降低(di)功耗。
RAAAM的GCRAM技术已在(zai)(zai)领先(xian)晶圆代(dai)工(gong)厂的芯片(pian)上得到验证，工(gong)艺节点范围(wei)从16nm到180nm，并(bing)在(zai)(zai)5nm FinFET技术中成功进行了评估。
▲16nm-180nm工艺中(zhong)RAAAM GCRAM技(ji)术的硅片实现(xian)显微(wei)照片
GCRAM技术能够采用任何(he)标(biao)准CMOS工艺制(zhi)造。半导(dao)体公司可将其作为SRAM的直接替(ti)代品，在更(geng)小(xiao)的硅片面积上(shang)实现(xian)更(geng)大的片上(shang)存储容(rong)量，并(bing)降低功耗和成本。
新一轮融资将(jiang)用(yong)于支持(chi)RAAAM在多(duo)家(jia)顶(ding)级晶圆代工(gong)厂的先进工(gong)艺节点上对GCRAM进行全面认证。
RAAAM还(hai)宣(xuan)布与恩智(zhi)浦(pu)展开紧密合作。恩智(zhi)浦(pu)半导体(ti)前端创新副总裁Victor Wang评价说(shuo)，RAAAM在片上存储器方(fang)面的(de)突破直接解决了(le)半导体(ti)价值链(lian)中(zhong)的(de)一个(ge)关(guan)键挑战。
