芯东西(公众号:aichip001)
作者 |  ZeR0
编辑 |  漠影

芯东西10月21日报道,9月29日,深圳存储芯片企业晶存科技正式递表港交所。

其前身公(gong)司深(shen)圳市晶存(cun)(cun)(cun)(cun)科(ke)技有限公(gong)司成立于2016年(nian)12月,2020年(nian)与妙存(cun)(cun)(cun)(cun)科(ke)技完成合(he)并(bing),掌握闪存(cun)(cun)(cun)(cun)主控(kong)芯(xin)片研发能(neng)力(li),并(bing)推出搭(da)载自研嵌入式主控(kong)芯(xin)片的(de)存(cun)(cun)(cun)(cun)储器。

全球嵌入式存储产品市场由存储产品原厂(IDM)和独立存储器厂商组成。晶存科技在该市场主要与全球及当地独立存(cun)储器厂商竞争(zheng)。

以2024年出货量计,前五大嵌入式存储独立厂商占据7.1%的市场份额,其中晶存科技排名第二,占据1.6%的市场(chang)份额。

以2024年出货量计,全球前五大LPDDR独立厂商共占据了6.2%的市场份额,其中晶存科技排名第一,占据2.6%的市场份额。

以2024年出货量计,晶存科技在全球搭载自研嵌入式主控芯片的存储器市场所有独立存储器厂商中排名第二

晶存(cun)(cun)科技产(chan)品组合主(zhu)要包括消(xiao)费级、工业级及(ji)(ji)车规级嵌(qian)入(ru)式存(cun)(cun)储(chu)产(chan)品,终端应用(yong)覆盖(gai)了(le)智(zhi)能手(shou)机、笔记本电(dian)脑(nao)(nao)、平板电(dian)脑(nao)(nao)、教育电(dian)子、智(zhi)慧(hui)家居、可穿戴(dai)设(she)备(bei)、智(zhi)能机器人、工业领域、汽车等场景,为(wei)AI手(shou)机、AI PC、机器人及(ji)(ji)智(zhi)能座舱系统等产(chan)品落地提供(gong)存(cun)(cun)储(chu)方(fang)案。

其高性能LPDDR产品已获多家国内领先的芯片及系统解决方案厂商应用于其计算服务器和边缘加速卡中;固态硬盘产品也已融入多家全球半导体企业的AI PC生态系统,为云端训练及边缘计算设备提供关键存储支持。

珠海智能(neng)终(zhong)端芯片龙头全志科技是其第七大股东,持股3.45%。

一、去年营收超37亿,同比增长近55%

2022年、2023年、2024年、2025年1-6月(yue),晶存科(ke)技的收入(ru)分别(bie)为(wei)(wei)20.96亿(yi)元(yuan)(yuan)、24.02亿(yi)元(yuan)(yuan)、37.14亿(yi)元(yuan)(yuan)、20.60亿(yi)元(yuan)(yuan),净利润分别(bie)为(wei)(wei)0.44亿(yi)元(yuan)(yuan)、0.37亿(yi)元(yuan)(yuan)、0.89亿(yi)元(yuan)(yuan)、1.15亿(yi)元(yuan)(yuan),研发(fa)费用(yong)分别(bie)为(wei)(wei)0.47亿(yi)元(yuan)(yuan)、0.56亿(yi)元(yuan)(yuan)、0.78亿(yi)元(yuan)(yuan)、0.41亿(yi)元(yuan)(yuan)。

▲2022年(nian)至2025年(nian)1-6月(yue),晶存科(ke)技的(de)营(ying)收、年(nian)内(nei)利(li)润、研发支出变化(芯东西制图)

同期,其毛利率分别为7.6%、8.9%、9.2%、14.4%。

2025年上(shang)半年,基(ji)于(yu)DRAM的产品、基(ji)于(yu)NAND Flash的产品、多芯片(pian)封装嵌入(ru)式存储(chu)产品分(fen)别贡献了总收入(ru)的62.7%、27.8%、2.4%。

晶存(cun)科技的(de)大部分收入来自(zi)中国内地和(he)香港:

其综合(he)财务状(zhuang)况表概要如下:

现金流如下:

截(jie)至2025年6月30日,晶存科技在中国(guo)有396名全职雇员(yuan),研发(fa)人员(yuan)占比(bi)为26%;拥有超过230项自主研发(fa)专(zhuan)利,其中发(fa)明专(zhuan)利超过205项。

二、运营两个智能制造中心,半年产量超7亿GB

存(cun)储晶(jing)圆是(shi)半导体存(cun)储产品的核心组(zu)成(cheng)部分(fen),根据(ju)其易失(shi)性可以分(fen)为ROM(只读(du)存(cun)储器)和RAM(随机存(cun)取存(cun)储器)。

ROM是一(yi)种(zhong)非易失(shi)性(xing)存(cun)(cun)储器,断电后仍能(neng)保持数(shu)据(ju),常见的(de)有Flash存(cun)(cun)储器,包括NAND Flash和NOR Flash。RAM是一(yi)种(zhong)易失(shi)性(xing)存(cun)(cun)储器,断电后数(shu)据(ju)会(hui)丢失(shi),包括DRAM(动(dong)态随机存(cun)(cun)取存(cun)(cun)储器)和SRAM(静态随机存(cun)(cun)取存(cun)(cun)储器)。

这些存(cun)(cun)储(chu)晶圆经过切割、封装和测试(shi)后,形成面向终端用户的(de)各(ge)类存(cun)(cun)储(chu)产品(pin),如嵌入式存(cun)(cun)储(chu)、固态硬(ying)盘、移动存(cun)(cun)储(chu)、内存(cun)(cun)条等(deng),广泛应(ying)用于智能手机、平板电脑、个人电脑、服务(wu)器等(deng)设(she)备中,满足不同场景下的(de)各(ge)种数据存(cun)(cun)储(chu)需求。

嵌入式存储(chu)(chu)产品是(shi)将半导体(ti)存储(chu)(chu)芯片与控制器及其他必要组件进行统一(yi)(yi)封装,形成一(yi)(yi)个(ge)功能(neng)完备(bei)、高度(du)优化的(de)(de)(de)单一(yi)(yi)模块,然后集成到电子设(she)(she)备(bei)主(zhu)系统中的(de)(de)(de)存储(chu)(chu)产品,专为特定设(she)(she)备(bei)的(de)(de)(de)空间和功能(neng)限(xian)制而设(she)(she)计,主(zhu)要用于存储(chu)(chu)设(she)(she)备(bei)的(de)(de)(de)操(cao)作系统、应用程序、用户数(shu)据和固件。

这类产品包括嵌入式DRAM产品(DDR、LPDDR)、嵌入式NAND产品(eMMC、UFS)和嵌入式多芯片封装产品(eMCP、uMCP、ePOP),广泛应用于(yu)智能(neng)(neng)手(shou)机、平(ping)板电脑、智能(neng)(neng)电视、物联网(IoT)设备和(he)车载系(xi)统,对稳(wen)定性、可(ke)靠性和(he)低功(gong)耗有高要求。

在往绩记录期(qi)间内,晶(jing)存科技运营(ying)了两(liang)个智能(neng)制造中心,分别位于深圳(zhen)及中山。

深圳智能制造中心主要负责测试基于DRAM的产品,包括主要产品如DDR4、LPDDR4/4X及LPDDR5;中(zhong)山智能制造中(zhong)心则主要(yao)专(zhuan)注(zhu)于测试(shi)基(ji)于NAND Flash的产品及组(zu)合式产品,包(bao)括eMMC、UFS、eMCP及ePOP。

其生产(chan)设(she)施详情如下,2025年上半(ban)年两个智能制(zhi)造中心合计产(chan)量超过7亿(yi)GB。

三、去年卖出1.4亿颗嵌入式存储产品

晶存科技采用直销和经销相结合的双(shuang)重销售模(mo)式(shi),近年来两者比例逐渐趋近1:1。

2022年(nian)、2023年(nian)、2024年(nian)、2025年(nian)1-6月,晶(jing)存科(ke)技嵌入式存储产品的销(xiao)量分别为0.58亿颗、1.11亿颗、1.40亿颗、0.88亿颗。

其主(zhu)要产品类别(bie)划分(fen)的(de)平均售价呈过山(shan)车式,2023年下跌,2024年回升(sheng)。

其中基于(yu)DRAM/NAND的产品价格(ge)与(yu)原(yuan)材(cai)料晶(jing)圆价格(ge)的因素基本(ben)一(yi)(yi)致。2022年(nian)(nian)上半年(nian)(nian)整体价格(ge)高位(wei)横(heng)行(xing),其后于(yu)下半年(nian)(nian)明显回(hui)落。该下行(xing)趋势持续至2023年(nian)(nian)年(nian)(nian)中,并(bing)(bing)自该时起出(chu)现持续反弹,延续至2024年(nian)(nian)年(nian)(nian)中。随后价格(ge)再度转(zhuan)入下行(xing)通(tong)道,并(bing)(bing)延续至2025年(nian)(nian)第一(yi)(yi)季度。2025年(nian)(nian)第二季度DRAM价格(ge)大幅上升(sheng),惟仍低于(yu)2022年(nian)(nian)的高位(wei)水平。

下行趋势主要由终端客(ke)户需(xu)求急剧收缩及(ji)库存(cun)(cun)压(ya)力上(shang)升(sheng)所致(zhi)。2023年(nian)6月后,随着减产(chan)措施逐步(bu)见效及(ji)终端需(xu)求回(hui)暖(nuan),存(cun)(cun)储市场开(kai)始反弹。智能手机及(ji)个人电(dian)脑对(dui)大容(rong)量(liang)存(cun)(cun)储产(chan)品的需(xu)求增长(zhang),带(dai)动晶圆(yuan)及(ji)成(cheng)品价格(ge)持(chi)续上(shang)行至(zhi)2024年(nian)年(nian)中。至(zhi)2025年(nian)上(shang)半(ban)年(nian)末,因制(zhi)造商逐步(bu)淘(tao)汰(tai)旧(jiu)制(zhi)程技术,DRAM价格(ge)出(chu)现(xian)上(shang)升(sheng)。

2022年(nian)、2023年(nian)、2024年(nian)、2025年(nian)1-6月(yue),五大客户对晶(jing)存(cun)科(ke)技(ji)总(zong)收入的贡献分别(bie)为49.7%、45.0%、49.3%、33.7%。

在往绩记录期间,晶存科技(ji)将若干制造(zao)流(liu)程(主要(yao)是流(liu)片及(ji)封装(zhuang))向(xiang)专门的第三方服(fu)务(wu)提供商外(wai)包。

其生产所需的(de)主要原材料包括DRAM及(ji)NAND闪存(cun)(cun)晶圆以(yi)及(ji)存(cun)(cun)储(chu)颗(ke)粒。全球(qiu)存(cun)(cun)储(chu)晶圆及(ji)存(cun)(cun)储(chu)颗(ke)粒市场高度(du)集中,并(bing)由为数不多的(de)主要供(gong)应(ying)商主导。

2022年、2023年、2024年、2025年1-6月(yue),五大供(gong)应商分别占晶存科技(ji)总采(cai)购额的(de)75.0%、72.5%、76.0%、80.8%。

结语:AI驱动DRAM存储需求,晶存科技拟全面拥抱端侧AI

根据弗(fu)若斯(si)特沙(sha)利文(wen)的资料,AI推动端侧电子(zi)产品的持续升(sheng)级,驱动对高性能低功(gong)耗DRAM存储需求。

2024年(nian)(nian)全球端侧(ce)AI市(shi)场(chang)达(da)2517亿元(yuan),预计在2029年(nian)(nian)达(da)12230亿元(yuan),2024年(nian)(nian)至2029年(nian)(nian)的年(nian)(nian)复合增(zeng)长率达(da)37.2%。晶存科(ke)技计划通过开(kai)发高性能(neng)DRAM产品作AI应(ying)用以把握该市(shi)场(chang)机遇。

晶存科技(ji)拟(ni)全(quan)(quan)面(mian)(mian)拥抱端侧AI,推(tui)动存储器技(ji)术与产品(pin)发展;快速推(tui)进工规(gui)级与车规(gui)级市场,构建全(quan)(quan)面(mian)(mian)的产品(pin)体(ti)系;打(da)造战略性行业共(gong)荣生(sheng)(sheng)态,寻求内生(sheng)(sheng)外延协(xie)同(tong)成长;进一(yi)步深化全(quan)(quan)球扩张战略,打(da)造国际化存储科技(ji)品(pin)牌。