芯东西（公众号：aichip001）
作者 | ZeR0
编辑 | 漠影
芯东西10月11日报道，9月30日，广东珠海半导体设备企业宝丰堂正式递表港交所。
根据(ju)招股书，宝丰(feng)堂成立于2006年5月(yue)，是在(zai)中国(guo)享有(you)重要市(shi)场地(di)位的等(deng)离子(zi)处理设备制(zhi)造商，亦在(zai)中国(guo)先进半导(dao)体(ti)处理设备领域(yu)快速发展，被(bei)评为“国(guo)家级专(zhuan)精特新小巨人企业(ye)”。
该公(gong)司专注(zhu)用于半导体及印刷电路板（PCB）制造的(de)(de)等离(li)子处理设(she)备的(de)(de)研发及制造创新，业务遍(bian)布中国内地、东南亚、北美(mei)及欧(ou)洲(zhou)等地。
其(qi)设(she)(she)备(bei)主要包括(kuo)：1）广泛应用于(yu)(yu)PCB制造、消费电子(zi)(zi)及(ji)其(qi)他行业的(de)等(deng)(deng)(deng)离子(zi)(zi)除(chu)胶(jiao)渣(zha)设(she)(she)备(bei)；2）半(ban)导(dao)体干(gan)法去胶(jiao)设(she)(she)备(bei)及(ji)干(gan)法刻蚀(shi)设(she)(she)备(bei)，以及(ji)用于(yu)(yu)半(ban)导(dao)体封装的(de)等(deng)(deng)(deng)离子(zi)(zi)除(chu)浮渣(zha)设(she)(she)备(bei)；3）用于(yu)(yu)等(deng)(deng)(deng)离子(zi)(zi)除(chu)胶(jiao)渣(zha)设(she)(she)备(bei)的(de)上(shang)下(xia)料设(she)(she)备(bei)。
该公司(si)亦(yi)提供用于等(deng)离子(zi)处理设备的零部件(jian)及配件(jian)，以(yi)及维修及维护(hu)服务。
根据弗若斯特沙利文报告，按2022年至2024年各年于中国产生的收入计，宝丰堂在中国PCB等离子除胶渣设备市场排名前三；按2024年(nian)于中(zhong)国产生的(de)收入计，宝(bao)丰堂在(zai)中(zhong)国PCB等离子处(chu)理设备的(de)市场份额约为3.9%。
2025年6月增资后，宝丰堂的投后估值约(yue)为(wei)7.5亿元。
一、去年收入1.50亿元，半导体制造设备贡献24%
2022年(nian)(nian)、2023年(nian)(nian)、2024年(nian)(nian)、2025年(nian)(nian)1-6月，宝丰堂的收入(ru)分(fen)别(bie)为0.79亿(yi)元(yuan)(yuan)、1.39亿(yi)元(yuan)(yuan)、1.50亿(yi)元(yuan)(yuan)、0.79亿(yi)元(yuan)(yuan)；净(jing)利润分(fen)别(bie)为0.11亿(yi)元(yuan)(yuan)、0.37亿(yi)元(yuan)(yuan)、0.39亿(yi)元(yuan)(yuan)、0.15亿(yi)元(yuan)(yuan)；研(yan)发(fa)费用分(fen)别(bie)为0.08亿(yi)元(yuan)(yuan)、0.10亿(yi)元(yuan)(yuan)、0.10亿(yi)元(yuan)(yuan)、0.07亿(yi)元(yuan)(yuan)。
▲2022年至(zhi)2025年1-6月，宝(bao)丰堂收入、净利润、研发支(zhi)出变化（芯(xin)东(dong)西(xi)制图）
同期(qi)，其毛利率分(fen)别(bie)为49.3%、53.3%、50.0%、59.9%。
按业务划分，去年(nian)(nian)用(yong)于半导体制造的(de)设备贡献了其约(yue)23.8%的(de)年(nian)(nian)收入。
宝丰堂(tang)大(da)部分收入均来自中国内地(di)。
其综合财(cai)务状况(kuang)表如(ru)下：
现金流如下：
二、半导体制造设备上半年出货21台
宝(bao)丰堂已自(zi)主孵化(hua)半(ban)导体(ti)(ti)刻蚀技术并实(shi)现(xian)了商(shang)业化(hua)，目标是发展成为中国拥有半(ban)导体(ti)(ti)刻蚀技术自(zi)主知(zhi)识产权(quan)的先进半(ban)导体(ti)(ti)加工(gong)设(she)备制(zhi)造商(shang)。
2025年上半年，其用于半导体制(zhi)造的(de)设(she)备出(chu)货量(liang)达(da)21台，未来随著(zhu)产线的(de)进一步落产，预期半导体制(zhi)造设(she)备出(chu)货量(liang)将呈现加(jia)速(su)增长(zhang)的(de)态势。
2022年(nian)(nian)、2023年(nian)(nian)、2024年(nian)(nian)、2025年(nian)(nian)1-6月，宝丰堂来自干法去胶设备及(ji)干法刻蚀设备的收入(ru)(ru)分别(bie)为0、0、1670万元、0，占同期总收入(ru)(ru)的0、0、11.2%、0。
随著高端(duan)量(liang)产芯片的制造工(gong)艺(yi)从14nm到10nm阶段，并(bing)向7nm、5nm甚至更小(xiao)的方向发展，传统沉浸式光(guang)刻机受光(guang)波(bo)长的限制，无法(fa)满(man)足关(guan)键器件的关(guan)键尺寸要(yao)求。
采用多重(zhong)模板(ban)工艺，干法(fa)刻(ke)蚀(shi)技(ji)术克服沉浸式光刻(ke)机(ji)的技(ji)术局限(xian)，实现了(le)更小尺寸(cun)芯(xin)片的生产，凸显了(le)刻(ke)蚀(shi)技(ji)术及干法(fa)刻(ke)蚀(shi)设备的关键作(zuo)用。
由于干法刻蚀工(gong)艺(yi)较为(wei)复杂(za)，技术壁垒较高，全球市(shi)场仍(reng)由知名国际厂商主导(dao)。
目前宝丰堂制造并提(ti)供(gong)用于半导(dao)体封装的等离子处理设备(bei)(bei)，包括半导(dao)体除浮(fu)渣设备(bei)(bei)、整平设备(bei)(bei)及撕膜设备(bei)(bei)，自2023年3月将产品线扩展至干(gan)法去胶(jiao)设备(bei)(bei)及干(gan)法刻蚀设备(bei)(bei)。
- 干法去胶设备：包括SDU-2000、SVU-2000等产品，支持4、6、8、12英吋全谱系规格晶圆，具有晶圆表面因等离子造成的损害小、高去胶
率、高通量和延长的清洗平均间隔时间等特点。 - 干法刻蚀设备：主要指SEC-200，支持4、6、8、12英吋全谱系规格晶圆，适用接触孔刻蚀、钝化层刻蚀、硬掩模刻蚀、对准标记刻蚀等多种工艺，具有刻蚀速率高、均匀性好等特点。
- 半导体封装设备：可提供一系列用于半导体封装的等离子除浮渣设备、整平设备及撕膜设备，覆盖各种封装类型的工艺，如球栅阵列封装、晶片级封装、平面网格阵列封装和针栅阵列封装工艺。
宝丰堂用于半导体制(zhi)造的等(deng)离(li)子处理设备能同时兼容多种(zhong)(zhong)晶(jing)圆尺(chi)寸，包(bao)括4英吋(cun)、6英吋(cun)、8英吋(cun)、12英吋(cun)晶(jing)圆，适用光(guang)刻(ke)(ke)胶(jiao)、聚(ju)酰亚胺(an)、氧化硅(gui)(gui)、氮化硅(gui)(gui)、氮氧化硅(gui)(gui)、单(dan)晶(jing)硅(gui)(gui)、多晶(jing)硅(gui)(gui)等(deng)多种(zhong)(zhong)材料(liao)，可实现等(deng)离(li)子干法去(qu)胶(jiao)及刻(ke)(ke)蚀(shi)等(deng)多种(zhong)(zhong)功能。
据介绍，其以干(gan)法(fa)去胶设备及(ji)干(gan)法(fa)刻蚀设备为代(dai)表的用于半导体(ti)制(zhi)造工艺的产品能有(you)效满足先进半导体(ti)制(zhi)造的要(yao)求，在准确(que)度、可靠性上(shang)均有(you)著优良表现。
其中，干法(fa)刻(ke)蚀(shi)设(she)备(bei)已覆盖电容耦合(he)等离子(zi)体刻(ke)蚀(shi)（CCP）技术，并计划推出兼(jian)具金(jin)属刻(ke)蚀(shi)与多(duo)晶硅(gui)刻(ke)蚀(shi)技术的干法(fa)刻(ke)蚀(shi)设(she)备(bei)，从而成为国内少数(shu)能够同时主营(ying)CCP以及金(jin)属与多(duo)晶硅(gui)干法(fa)刻(ke)蚀(shi)设(she)备(bei)的厂商之一。
截至2025年(nian)(nian)6月(yue)30日(ri)，宝丰堂研发人员(yuan)占总雇员(yuan)数量超20.0%，其(qi)中一半(ban)以上拥(yong)(yong)(yong)有超过五年(nian)(nian)的等离子及(ji)(ji)半(ban)导体制造设备(bei)研发经(jing)验(yan)；在中国内(nei)地(di)拥(yong)(yong)(yong)有23项(xiang)(xiang)(xiang)(xiang)已批(pi)准专利(li)，包括(kuo)11项(xiang)(xiang)(xiang)(xiang)发明专利(li)和10项(xiang)(xiang)(xiang)(xiang)实(shi)用新型(xing)专利(li)，以及(ji)(ji)两项(xiang)(xiang)(xiang)(xiang)外观(guan)设计(ji)专利(li)，在中国香港拥(yong)(yong)(yong)有两项(xiang)(xiang)(xiang)(xiang)注册商标以及(ji)(ji)在中国台湾拥(yong)(yong)(yong)有5项(xiang)(xiang)(xiang)(xiang)已批(pi)准专利(li)。
其在光刻(ke)胶(jiao)固化、微波(bo)等离子刻(ke)蚀及晶圆(yuan)支(zhi)撑架构等半导体技术领域拥有专利，从而突破国外制造商的垄断。
三、福联集成、长电科技、中国中车是客户
目前，宝丰堂(tang)已与多家消费电子龙头企业达成合作(zuo)。
在半导体领(ling)域，该公(gong)司已获得(de)来自福联集成、长电(dian)科(ke)技、中(zhong)国中(zhong)车的(de)稳定订单，并持续争取包(bao)括(kuo)第三代半导体材料企业(ye)在内(nei)的(de)其他头部客户的(de)业(ye)务(wu)机会。
占宝丰堂总收(shou)(shou)入(ru)10%以(yi)上的客户收(shou)(shou)入(ru)如下：
2022年、2023年、2024年、2025年1-6月，来自(zi)宝丰堂五大客(ke)户的(de)收入分别占总(zong)收入的(de)60.8%、60.9%、51.5%、70.8%。
宝(bao)丰(feng)堂向供应(ying)商采购用于制造产品的各(ge)种(zhong)材(cai)料，包括(kuo)铝材(cai)、真空泵及(ji)射频发生器等。其(qi)采购计划乃根据存货水平及(ji)市(shi)场供应(ying)情(qing)况而制定。
2022年(nian)(nian)、2023年(nian)(nian)、2024年(nian)(nian)、2025年(nian)(nian)1-6月，该(gai)公司向五大供应商(shang)的(de)采购额分别占总(zong)采购额的(de)25.7%、25.9%、30.7%、31.3%。
2025年(nian)1-6月，其半导体制(zhi)造产品中(zhong)超过90%的原材料及(ji)零部件来(lai)自国(guo)内供应商，反映了相对较高的国(guo)产化比例。
四、70岁创始人掌舵，在半导体相关行业超过30年
宝(bao)丰堂(tang)股(gu)权架构如(ru)下(xia)：
其创始(shi)人赵芝强今年70岁(sui)，担任董事(shi)会主(zhu)席、经理(li)兼执行董事(shi)，是中国等离子设备行业的先行者。
赵芝强在半(ban)导体(ti)相关行业(ye)有超过30年(nian)的专业(ye)知识，曾就职于领先(xian)的快捷半(ban)导体(ti)产品有限公司，主(zhu)要负(fu)责二极(ji)管(guan)产品质量控(kong)制及生命(ming)周期(qi)测试。
赵芝(zhi)强与其妻女透过(guo)共同投资工具及配偶关系持(chi)有权益而被(bei)推定为(wei)一组控股(gu)股(gu)东。
2024年，宝丰堂董事及监事酬金(jin)如下：
结语：拟向薄膜沉积及先进封装方向拓展
2024年(nian)，中(zhong)国(guo)半(ban)导体等(deng)(deng)离子(zi)处理行业市场(chang)参与(yu)者数量(liang)超(chao)过20家。中(zhong)国(guo)市场(chang)的半(ban)导体等(deng)(deng)离子(zi)处理市场(chang)相对集中(zhong)，按收入计算(suan)，前5名参与(yu)者于(yu)2024年(nian)占据(ju)92.8%的市场(chang)份额。按2024年(nian)收入计算(suan)，宝丰(feng)堂在(zai)中(zhong)国(guo)半(ban)导体等(deng)(deng)离子(zi)处理市场(chang)的市场(chang)份额为0.01%。
根(gen)据招股(gu)书，宝丰堂拟进一步加强在半导体制造领域的相(xiang)关(guan)技术(shu)储备，不断强化刻(ke)蚀(shi)(shi)技术(shu)，包(bao)括在金属刻(ke)蚀(shi)(shi)、多晶硅刻(ke)蚀(shi)(shi)等方(fang)向的技术(shu)研发，亦打算向薄膜沉积及(ji)先进封装等方(fang)向拓展。
该(gai)公司还计划丰富(fu)半导体制(zhi)造(zao)设(she)备的(de)产品组合，未来推(tui)出(chu)金属(shu)刻(ke)蚀、多(duo)晶硅(gui)刻(ke)蚀及PECVD设(she)备等(deng)新型设(she)备，持续提升中国国产等(deng)离子(zi)及半导体技(ji)术知识产权自主可(ke)控。
