芯东西（公众号：aichip001）
作者 | 高歌
编辑 | Panken
芯(xin)东西2月10日报道(dao)，今(jin)天，国(guo)产功率(lv)半导体厂商东微半导（股票代码：688261）以发行价130元/股登陆(lu)科创板(ban)。
开市(shi)后(hou)，东微(wei)(wei)半(ban)导股价(jia)有(you)所上涨，最高(gao)涨至148元/股，之后(hou)有(you)所回落(luo)。截至芯东西成文，东微(wei)(wei)半(ban)导报138元/股，涨幅(fu)6%，总市(shi)值92亿元。
东(dong)微半导的(de)产品主要应用于工业及汽车(che)等中大(da)功率(lv)应用领域(yu)，是国内(nei)少数具备(bei)从专利到量产完整经验的(de)高(gao)性能功率(lv)器件(jian)设计(ji)公司之一，曾打破外国厂商(shang)充电桩用高(gao)压超级结(jie)MOSFET器件(jian)垄断(duan)，被《人民(min)日报(bao)》所报(bao)道(dao)。
根据市场咨询公司Omdia数据，以2019年(nian)MOSFET功(gong)率器(qi)件(jian)销(xiao)售(shou)额计算(suan)，东微(wei)半(ban)(ban)导(dao)在中国本土厂商中排名第七。报告期内，东微(wei)半(ban)(ban)导(dao)营收持续(xu)增长(zhang)，2018年(nian)-2021年(nian)上(shang)半(ban)(ban)年(nian)各期营收分别(bie)为(wei)1.53亿元(yuan)(yuan)、1.96亿元(yuan)(yuan)、3.09亿元(yuan)(yuan)和3.21亿元(yuan)(yuan)。
由于东微半导股权较(jiao)为分散(san)，不存在控(kong)股股东，其实际控(kong)制人为公司(si)联合创始(shi)人王鹏飞和龚轶。
▲东微半导股权结构
本次(ci)IPO，东微(wei)半导计划募集资金(jin)9.39亿元，将分(fen)别用(yong)于“超级(ji)结(jie)与屏蔽栅功(gong)率(lv)器件产品(pin)升(sheng)级(ji)及(ji)产业化”、“新(xin)结(jie)构功(gong)率(lv)器件研(yan)发(fa)及(ji)产业化”、“研(yan)发(fa)工程(cheng)中心建设”和“科技与发(fa)展储备资金(jin)”4个项目。
▲东微半导(dao)募(mu)集(ji)资金投资情况
一、创始人研究登Science，直流充电桩产品打破国外厂商垄断
东(dong)微半(ban)导的前身(shen)东(dong)微有限(xian)设立于2008年9月，注册资本10万元，两位(wei)联(lian)合创始人(ren)王鹏飞、龚轶分别(bie)认(ren)缴5.5万元和(he)4.5万元。
王鹏(peng)(peng)飞(fei)(fei)和龚轶两人均曾在国(guo)外(wai)留学，并就职于AMD、英飞(fei)(fei)凌(ling)等国(guo)际芯片巨头。王鹏(peng)(peng)飞(fei)(fei)为德国(guo)慕尼黑工(gong)业大学博士，曾在英飞(fei)(fei)凌(ling)存储器(qi)研(yan)发(fa)中心担任(ren)研(yan)发(fa)工(gong)程师，2006年(nian)5月担任(ren)奇梦达技术创新和集成部门研(yan)发(fa)工(gong)程师。
2008年(nian)9月，王鹏飞(fei)和龚轶联合创办(ban)了东微有限；2009年(nian)6月，王鹏飞(fei)成为复旦(dan)大学微电子(zi)学院教授，并(bing)于2013年(nian)研制(zhi)出全球(qiu)首个半浮(fu)栅晶(jing)体管(guan)（SFGT，Semi-FloatingGate Transistor），文(wen)章发表在顶级学术期(qi)刊Science上(shang)，这(zhei)是我国微电子(zi)领域研究首次登上(shang)Science，新(xin)闻联播和人民日报(bao)(bao)、青年(nian)报(bao)(bao)等都对此有所报(bao)(bao)道。2021年(nian)4月至今，王鹏飞(fei)任东微半导(dao)首席(xi)技术官。
龚轶则为英国纽卡斯尔(er)大(da)学硕士(shi)，曾(ceng)先后在AMD、英飞凌任(ren)(ren)工程师和技术专家；2020年11月至(zhi)今，龚轶任(ren)(ren)东微半导董事长兼总经(jing)理。
▲东微半导董(dong)事长(zhang)、总经理龚轶
2016年4月，东微半导自(zi)主研发的650V、80A快恢复GreenMOS产品(pin)实现量产，并进(jin)入直流充(chong)电桩领域(yu)，打破了这(zhei)一领域(yu)国外厂商(shang)的垄(long)断。
二、半年收入破3亿，产品性能比拟氮化镓器件
报告期内，东微(wei)半导营收(shou)持续增长，2018年(nian)(nian)-2020年(nian)(nian)其营收(shou)分别为1.53亿(yi)元、1.96亿(yi)元和(he)3.09亿(yi)元，复合增长率(lv)为42.11%。2021年(nian)(nian)上(shang)半年(nian)(nian)，东微(wei)半导营收(shou)为3.21亿(yi)元，超过2020年(nian)(nian)全年(nian)(nian)营收(shou)。
利(li)润(run)方面(mian)，东微(wei)半导(dao)2018年(nian)-2020年(nian)净利(li)润(run)分别为1297.43万(wan)元(yuan)、911.01万(wan)元(yuan)和2768.32万(wan)元(yuan)。2021年(nian)上半年(nian)，东微(wei)半导(dao)净利(li)润(run)达5180.53万(wan)元(yuan)。
▲东微半导(dao)2018年(nian)-2021年(nian)上半年(nian)营(ying)收与净利(li)润变化
主(zhu)(zhu)营(ying)业务上，东微半导的主(zhu)(zhu)要收入来(lai)源(yuan)为(wei)高(gao)(gao)压超(chao)级(ji)结MOSFET器件，2018年(nian)-2020年(nian)该产(chan)(chan)品收入占(zhan)比均超(chao)过80%。其产(chan)(chan)品主(zhu)(zhu)要分为(wei)MOSFET和(he)IGBT两(liang)类，其中(zhong)MOSFET产(chan)(chan)品分为(wei)高(gao)(gao)压超(chao)级(ji)结MOSFET、中(zhong)低压屏蔽栅MOSFET和(he)超(chao)级(ji)硅MOSFET三(san)类，其IGBT产(chan)(chan)品则(ze)采用了(le)不同于(yu)国际主(zhu)(zhu)流自研的TGBT器件结构。
2020年，东(dong)微半(ban)导IGBT产品尚(shang)未实(shi)现(xian)营收。
▲2020年东微(wei)半导主营业务收入占比
具(ju)体来说(shuo)，东微(wei)半导(dao)的高压(ya)(ya)(ya)超级结MOSFET工作(zuo)电(dian)(dian)压(ya)(ya)(ya)在400V以上，可(ke)用于工业LED照(zhao)明、新(xin)能(neng)(neng)源(yuan)汽车(che)充电(dian)(dian)桩(zhuang)(zhuang)等(deng)，具(ju)有高频、驱动(dong)简单、抗击穿性(xing)好等(deng)特点；其中低压(ya)(ya)(ya)屏蔽栅(zha)MOSFET器(qi)件一般工作(zuo)电(dian)(dian)压(ya)(ya)(ya)覆盖25V-150V，主(zhu)要(yao)应用于电(dian)(dian)池保(bao)护、电(dian)(dian)机驱动(dong)器(qi)等(deng)；东微(wei)半导(dao)的IGBT产品工作(zuo)电(dian)(dian)压(ya)(ya)(ya)包(bao)括600V-1350V，适用于新(xin)能(neng)(neng)源(yuan)汽车(che)充电(dian)(dian)桩(zhuang)(zhuang)、变频器(qi)、逆变器(qi)、电(dian)(dian)机驱动(dong)、电(dian)(dian)焊机、太阳能(neng)(neng)等(deng)领(ling)域。
▲东微半导(dao)产品与应(ying)用(yong)范(fan)围
东微半导的(de)(de)(de)超(chao)级硅MOSFET则是其自主(zhu)研发，对标氮化(hua)(hua)镓功(gong)率(lv)器件(jian)的(de)(de)(de)产品(pin)。招股书称，通过调整器件(jian)结构、优化(hua)(hua)制(zhi)造工艺，其超(chao)级硅MOSFET产品(pin)突破(po)了传统硅基功(gong)率(lv)器件(jian)的(de)(de)(de)速(su)度(du)瓶颈，在电源应用中达到了接近(jin)氮化(hua)(hua)镓功(gong)率(lv)器件(jian)开关速(su)度(du)的(de)(de)(de)水平。
相比氮化(hua)镓功率器件，该(gai)产(chan)品具有工艺成熟度(du)高、成本低、可靠性高等(deng)优势，且东(dong)微(wei)半导正(zheng)在推进超级硅系列产(chan)品在12英(ying)寸产(chan)线上的量产(chan)。
▲东微(wei)超级硅(gui)65W PD快充(chong)DEMO与苹果30W充(chong)电(dian)器体积对比（来源：东微(wei)半导）
报告期内，东微半(ban)导的前(qian)五大客(ke)户(hu)包(bao)括(kuo)凯新达电(dian)(dian)子(zi)、睿创(chuang)电(dian)(dian)子(zi)等(deng)，主要以经销商为主，其主要终端(duan)客(ke)户(hu)包(bao)括(kuo)客(ke)户(hu)A、高斯宝(bao)电(dian)(dian)气(qi)、永联(lian)科技、柏怡(yi)电(dian)(dian)子(zi)、明纬电(dian)(dian)子(zi)等(deng)。
▲东微(wei)半(ban)导(dao)2018年-2021年上半(ban)年前五大(da)客户(hu)
由于东微半导采用Fabless（无晶圆(yuan)厂(chang)）模式，不直(zhi)接从事芯片(pian)的(de)生(sheng)产和加工环节，其主要采购内容为晶圆(yuan)与封测服务(wu)。
报告期(qi)内，华虹(hong)半导体为其(qi)主(zhu)要(yao)的(de)晶圆(yuan)供(gong)(gong)应商，2018年-2020年东(dong)微(wei)(wei)半导对华虹(hong)半导体的(de)晶圆(yuan)采(cai)购金(jin)额占总采(cai)购金(jin)额比(bi)例均在(zai)80%以(yi)上。东(dong)微(wei)(wei)半导的(de)主(zhu)要(yao)封测服务供(gong)(gong)应商则(ze)为天(tian)水(shui)华天(tian)，报告期(qi)内其(qi)采(cai)购金(jin)额占比(bi)在(zai)10%以(yi)上。
▲东微(wei)半(ban)导(dao)2018年-2021年上半(ban)年前五(wu)大供应商
三、本土MOSFET厂商销售额第七，研发人员占比46%
在(zai)功(gong)率半导(dao)体领(ling)域，国际厂商(shang)优势明显，全球前十大功(gong)率半导(dao)体公司均为海(hai)外厂商(shang)，包(bao)括(kuo)英飞凌、德州仪器、安(an)森美、意法半导(dao)体、亚德诺(nuo)、高通、瑞萨电子(zi)等。
当前东(dong)微半(ban)(ban)导的(de)主要收入来源为(wei)硅基(ji)MOSFET产品(pin)，单一产品(pin)类别收入的(de)占比(bi)较高。在和行(xing)业(ye)龙(long)头竞争时(shi)，东(dong)微半(ban)(ban)导在IGBT、功率器件模块等方(fang)面的(de)技(ji)术储备不足，品(pin)牌知名(ming)度(du)和影响力均(jun)存在劣势。
▲全球前十大功率半导体厂商及销售(shou)额
同时，功率器件正不断朝(chao)第三代半(ban)导体材料方向发(fa)展(zhan)，虽然东微(wei)半(ban)导已有碳化硅功率器件的样品，但在(zai)第三代半(ban)导体材料的研(yan)发(fa)布局上落后(hou)于国(guo)际巨头，未来(lai)存在(zai)竞争风险。
而在国内，东微半导是少数(shu)专(zhuan)注工业级高压超级结(jie)MOSFET领域的(de)半导体厂(chang)商，其高压超级结(jie)MOSFET产品(pin)在TO247封装体内同时实现了650V耐压平台以及(ji)最低(di)14mohm导通电阻的(de)规格(ge)，在性能方(fang)面已接近(jin)国际先(xian)进水平。
2016年4月，东微(wei)半(ban)导推出的(de)GreenMOS系(xi)列超级结(jie)MOSFET产品打破了国外厂商在充电桩功(gong)率(lv)器件领(ling)域的(de)垄断地位。根据Omdia统计，2019年全球MOSFET销售(shou)额(e)为84.20亿美(mei)元(yuan)，东微(wei)半(ban)导MOSFET产品销售(shou)额(e)为2843万美(mei)元(yuan)，在本(ben)土厂商中排名第七，占全球0.34%的(de)市场份额(e)。
▲2019年(nian)中国本土(tu)领先功率半导体(ti)厂商(shang)MOSFET功率器件全球销售收(shou)入
报告期内(nei)，东微半(ban)导(dao)的(de)各期毛利率(lv)分别为26.38%、14.93%、17.85%和26.75%。相比新(xin)洁能、华微电子、华润微、扬杰科技、士兰微等国内(nei)同行业可比公司，东微半(ban)导(dao)的(de)毛利率(lv)变(bian)化(hua)趋势一致，但整(zheng)体毛利率(lv)水平存在(zai)差异。
▲东(dong)微半(ban)导与(yu)同行业可比公司毛利率(lv)对(dui)比
招股书(shu)称(cheng)，这主要是因为主营业务产(chan)(chan)品(pin)(pin)结(jie)构和(he)生产(chan)(chan)经营模(mo)式不(bu)(bu)同(tong)，如华微电(dian)子(zi)、华润微和(he)士(shi)兰(lan)微等可(ke)(ke)比公司采(cai)用(yong)IDM模(mo)式，不(bu)(bu)涉及晶圆的外部(bu)采(cai)购，毛利率受外部(bu)影(ying)响较(jiao)低；而华微电(dian)子(zi)、华润微、扬杰科技(ji)和(he)士(shi)兰(lan)微等可(ke)(ke)比公司产(chan)(chan)品(pin)(pin)种(zhong)类相对较(jiao)多，产(chan)(chan)品(pin)(pin)结(jie)构相对复杂(za)，和(he)东微半导(dao)专注MOSFET产(chan)(chan)品(pin)(pin)的经营策(ce)略有所不(bu)(bu)同(tong)。
值(zhi)得注(zhu)意的(de)是(shi)，虽然东(dong)微半(ban)导研(yan)(yan)发人员(yuan)占员(yuan)工(gong)总数的(de)比(bi)例(li)达46%，但由于公司(si)规模(mo)较小，其研(yan)(yan)发人员(yuan)人数为31人，低于很(hen)多国内同行业上市公司(si)。
除(chu)首席技(ji)术(shu)官王鹏(peng)飞外，东微半导核心(xin)技(ji)术(shu)人(ren)员还包括研发总监刘磊、资(zi)深(shen)研发工程师刘伟和(he)资(zi)深(shen)研发工程师毛振东。
刘磊(lei)硕士毕业于安徽(hui)大(da)学电路与系(xi)统学院，2007年(nian)9月(yue)至2009年(nian)7月(yue)，担(dan)任(ren)华润上华半导体科(ke)技有限公(gong)司技术转移(yi)部工艺整合工程(cheng)师；2009年(nian)7月(yue)加入东微(wei)有限。
刘(liu)伟本科毕业于南(nan)京邮电(dian)大学(xue)微电(dian)子学(xue)专业，曾在东莞奇(qi)力新(xin)电(dian)子有限公(gong)司、苏州可胜科技有限公(gong)司任工程师(shi)职务；2009年8月，刘(liu)伟加入东微有限。
毛振东(dong)则为(wei)中国科学(xue)(xue)院大学(xue)(xue)集成电(dian)路(lu)设(she)计学(xue)(xue)院硕士(shi)学(xue)(xue)历(li)，曾在华(hua)晶电(dian)子集团、华(hua)润(run)上(shang)华(hua)科技有(you)限(xian)公司(si)、苏州硅(gui)能半导体科技股(gu)份有(you)限(xian)公司(si)任职，2015年(nian)3月加入东(dong)微有(you)限(xian)。
报告期内，东微半(ban)导研发(fa)投入分别为1603万(wan)元(yuan)、1202万(wan)元(yuan)、1599万(wan)元(yuan)和1650万(wan)元(yuan)，占营收比例分别为10.49%、6.13%、5.18%和5.14%。截至2021年6月30日(ri)，东微半(ban)导已获授权的专(zhuan)(zhuan)利有53项(xiang)，包括境内发(fa)明专(zhuan)(zhuan)利37项(xiang)、实用(yong)新型专(zhuan)(zhuan)利1项(xiang)，以(yi)及境外专(zhuan)(zhuan)利15项(xiang)。
▲东微半导研发投入与占比情况
四、联合创始人为实际控制人，曾获华为哈勃投资
由于(yu)股(gu)权较为(wei)分(fen)散，东微半导无控(kong)股(gu)股(gu)东，其实际控(kong)制人为(wei)联合创(chuang)始人王鹏飞和龚轶，通过直接或(huo)间接持(chi)股(gu)及通过一(yi)致行动安排合计共(gong)同控(kong)制了(le)43.51%的股(gu)份(fen)。
自200年(nian)创(chuang)建(jian)以来(lai)，东微半导已(yi)获得多轮融资，投(tou)资者(zhe)包括元禾资本、国中创(chuang)投(tou)、中兴(xing)创(chuang)投(tou)、中芯聚源、华为哈勃投(tou)资等行业(ye)知(zhi)名投(tou)资机构。
本(ben)次(ci)IPO发行前，持有(you)东(dong)(dong)微半导5%以上(shang)的(de)非(fei)个人股(gu)东(dong)(dong)有(you)原点创(chuang)投、聚源聚芯(xin)、中新创(chuang)投和哈(ha)勃投资4家(jia)，分别(bie)持有(you)15.18%、9.95%、7.12%和6.59%的(de)股(gu)份(fen)。
▲东微半导股本情况
结语：东微半导上市或弥补经营规模缺陷
东(dong)(dong)微(wei)半(ban)(ban)导(dao)联合(he)创始人王鹏(peng)飞(fei)曾在英飞(fei)凌、奇梦达(da)和(he)复旦大学等(deng)国内外企业和(he)学校(xiao)任职，有着较(jiao)强的研发实力(li)。同时，东(dong)(dong)微(wei)半(ban)(ban)导(dao)的自研MOSFET产品性能较(jiao)为(wei)出色。但相比国内外行业龙头(tou)，东(dong)(dong)微(wei)半(ban)(ban)导(dao)经(jing)营规(gui)模较(jiao)小，在研发投(tou)入和(he)人员数量上都存(cun)在不(bu)足。
本次上(shang)市(shi)后，东微半导或将弥补这一缺陷，加强研发投入和经营规模上(shang)，扩(kuo)大(da)国产功率半导体的市(shi)场份额。
